基本情况：
潘拴，博士、副研究员，山东博兴人。2003年、2009年于中国科学技术大学分别获得学士、博士学位。2009年-2010年在香港中文大学物理系从事研究工作。2012年加入南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。
研究方向：
半导体发光材料及器件的表征和光电性能研究。
联系方式：
电话：0791-88317017
邮箱：panshuan@ncu.edu.cn
承担课题情况：
主持完成国家自然科学基金青年基金项目：氮化镓基LED材料的二次离子质谱定量分析；项目号 21405076；经费25万元；执行年限2015.1-2017.12。
发表论文情况：
(1) 李嘉祥，潘拴*，刘军林，吴小明；低色温无荧光粉LED 光源的可靠性研究，发光学报，2020,41（3）: 323-330
(2)Chen Xu, Changda Zheng*, Xiaoming Wu, Shuan Pan, Xingan Jiang, Junlin Liu and Fengyi Jiang; Effects of V-pits covering layer position on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs, Journal of Semiconductors，2019, 40(5): 052801
(3)Fengyi Jiang*, Jianli Zhang, Longquan Xu, Jie Ding, Guangxu Wang, Xiaoming Wu, Xiaolan Wang, Chunlan Mo, Zhijue Quan, Xing Guo, Changda Zheng, Shuan Pan, and Junlin Liu; Efficient InGaN-based yellow-light-emitting diodes， Photonics Research, 2019, 7(2): 144-148
(4) Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates， Weijing Qi, Jianli Zhang*, Chunlan Mo, Xiaolan Wang, Xiaoming Wu, Zhijue Quan, Guangxu Wang, Shuan Pan, Fang Fang, Junlin Liu, and Fengyi Jiang，Jounal of Applied Physics,2017, 122: 084504
(5) InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响，齐维靖，张萌*，潘拴，王小兰，张建立，江风益，物理学报,2016, 65( 7): 077801
