基本情况：
王小兰，女，湖南沅江人。2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所材料物理与化学专业，获工学博士学位。现为南昌大学国家硅基LED工程中心研究员，硕士生导师。主要从事硅衬底GaN相关研究，主持和参与国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项；发表论文30余篇，获授权及申请专利近10项。
联系方式：
地 址： 南昌市高新区艾溪湖北路679号南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
邮 编: 330096
E-mail: wangxiaolan@ncu.edu.cn.
承担课题情况：
（1）主持南昌市科技重大专项“揭榜挂帅”项目：“超高光效、低成本GaN蓝光外延材料与芯片制备产业化关键技术”，2024360113034940；1000万元，执行年限：2023-2025
（2） 主持国家重点研究计课题：高速高灵敏可见光通信接收器件研究；编号：2022YFB2802802；348.3万元，执行年限：2022-2025
（3） 主持国家自然科学青年基金项目“490nmGaN基青光LED的关键技术研究” 直接经费24万元，执行年限：2018-2020
（4）作为子课题负责人承担国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项——大失配、弱分凝InGaN外延生长和高发光效率绿光量子阱研究，300万元,执行年限：2016-2019
发表论文情况：
1 Jianli Zhang, Xiaolan Wang∗, Junlin Liu, Chunlan Mo, Xiaoming Wu, Guangxu Wang, Fengyi Jiang，Study on Carrier transportation in InGaN based green LEDs with V-pits structure in the active region，Optical Materials 86 46-50 2018
2 Zhi-Hui Wang(王智辉), Xiao-Lan Wang(王小兰)*, Jun-Lin Liu(刘军林), Jian-Li Zhang(张建立), Chun-Lan Mo(莫春兰), 等，Effect of Green Quantum Well Number on Properties of Green GaN-Based Light-Emitting Diodes，CHIN. PHYS. LETT. 087302-1-4 2018
3 聂晓辉，王小兰*，莫春兰，张建立，潘拴，刘军林，V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响，发光学报 38(6) 735-741 2018
4 X. L. Wang*, D. G. Zhao, X. Y. Li, H. M. Gong, H. Yang, J. W. Liang, The effect of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayer, Materials Letters, 60, (3693) 2006
5 X. L. Wang*, D. G. Zhao, X. Y. Li, H. M. Gong, H. Yang, Effect of oxidation on the optical and surface properties of AlGaN, Applied Surface Science, 252, (8706) 2006
6 X. L. Wang*, D. G. Zhao,U Jahn, K. Ploog, D S Jiang, H Yang, and J W Liang, The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al compostion inhomogeneity analysis, Journal of Physics D: Applied Physics, 40, (1113) 2007
7 WANG Xiao- Lan(王小兰)*, ZHAO De- Gang(赵德刚)，YANG Hui（杨辉），LIANG Jun-Wu（梁骏吾），Growth of AlGaN epitaxial film with high Al content by metalorganic chemical vapor deposition, Chinese Physics Letters, 24, (774) 2007
8 X. L. Wang*, D. G, Zhao, D. S. Jiang, H. Yang, J. W. Liang, U. Jahn, K. Ploog, Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapor deposition, Journal of Physics: Condensed Matter, 19, (176005) 2007
