基本情况：
吴小明，男，博士，江西新余人， 2014年博士毕业于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，2015年留校。现为南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研究员，博士生导师。
近年承担国家重点研发计划课题1项，国拨经费1100万，承担横向课题1项，经费200万，承担国家自然科学基金1项，代表南昌大学参加江苏省重点研发项目2项，经费100万，以项目骨干参加国家重点研发计划项目，国家自然科学基金面上项目，国家自然科学青年基金，国家自然科学地区基金4项，江西省重大研发专项，江西省重点研发计划2项。近年来发表论文20篇，授权国家发明专利8项。
在本领域权威杂志美国应用物理快报（SCI二区）、美国应用物理学报以及中国物理快报等杂志发表多篇论文，论文“Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes”发表后，作为半导体光电子器件的国际新闻，为英国著名行业杂志《semiconductor today》报道。2018年至2019年，主持研制的高光效AlGaInP红光LED，经来自全国科研院所、高等院校、检测机构、联盟、协会、学会共12名专家组成鉴定委员会鉴定，达到国际先进水平。2020年，以“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目，获江西省科学技术进步一等奖（排名第二）。现阶段主要研究硅衬底GaN电力电子器件。
研究方向：
硅衬底GaN基高光效芯片研制、GaN电力电子器件研制以及MicroLED芯片研制。
联系方式：
电话：0791-88317106
邮箱：xiaomingwu@ncu.edu.cn
发表的部分代表论文：
[1] X. Wu., J. Liu and F. Jiang (2015). "Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes." Journal of Applied Physics 118(16): 164504. 该文作为光电子材料与器件的国际新闻，获国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today 》转载。
[2] X. Wu., J. Liu, Z. Quan, C. Xiong, C. Zheng, J. Zhang, Q. Mao and F. Jiang (2014). "Electroluminescence from the sidewall quantum wells in the V-shaped pits of InGaN light emitting diodes." Applied Physics Letters 104(22): 221101.（SCI二区）
[3] X. Wu., J. Liu, C. Xiong, J. Zhang, Z. Quan, Q. Mao and F. Jiang (2013). "The effect of silicon doping in the barrier on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes." Journal of Applied Physics 114(10): 103102-103105.
[4] S. Cao, X.Wu., J. Liu, F. Jiang (2019). "Carrier Dynamics Determined by Carrier-Phonon Coupling in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue Light Emitting Diodes." Chinese physics letters 36(02): 92-95.(通讯作者)
[5] X. Liu, J. Liu, Q. Mao, X. Wu, J. Zhang, G. Wang, Z. Quan, C. Mo and F. Jiang (2015)Effects of p-AlGaN EBL thickness on the performance of InGaN green LEDs with large V-pits；期刊：Semiconductor Science & Technology（英国物理学会旗下期刊）；期号：31；页码：025012；该文入选杂志亮点论文。
申请及授权的专利：
[1] 一种氮化物发光二极管的外延结构，ZL201310543241.6，排名第一，已授权；
[2] 一种低应力TiW薄膜的制备方法，ZL202110555105.3，排名第一，已授权；
[3] 一种具有P面钝化层的AlGaInN基LED制备方法，ZL202010798818.8，排名第一，已授权；
[4] 一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构, ZL201910083328.7, 排名第一，已授权
