一、个人简介
郑畅达，1979年出生，博士，南昌大学副研究员，硕士研究生导师。2014年博士毕业于南昌大学材料物理与化学专业；主持国家重点研发计划课题1项、江西省重大研发专项课题1项、国家自然科学基金课题1项，参与国家/江西省重大专项、国家自然科学基金等课题10余项；发表论文50余篇，获授权及申请发明专利5项。
二、研究兴趣
主要从事硅衬底氮化镓基半导体发光器件制备和产业化工作。现就职于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，南昌实验室。研究方向：硅衬底InGaN LED照明芯片制造，CMOS电路上InGaN Micro-LED微显示屏的集成。
三、联系方式：
地 址： 南昌市高新区艾溪湖北路679号
邮 编: 330096
E-mail: zhengchangda@ncu.edu.cn.
四、近年来承担的课题与获奖情况
1、国家重点研发计划课题，CMOS 电路上高密度Micro-LED 全彩集成技术，主持，2022/11—2025/10，在研。
2、国家自然科学基金，《高光效InGaN绿光MicroLED的外延结构设计与生长优化研究》，主持，2022/01—2025/12，在研。
3、江西省重大研发专项课题，衬底高光效长波长发光材料与芯片制造技术研究及产业化，主持，2018/01—2022/12，已结题。
4、2022年度江西省自然科学特等奖，V形PN结半导体发光器件(7)。
5、2020年度江西省科学技术进步一等奖，硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用（6）。
五、代表性论文与专利
[1] Quan-Jiang Lv, Yi-Hong Zhang, Chang-Da Zheng*. Analysis of stress-induced inhomogeneous electroluminescence in GaN-based green LEDs grown on mesh-patterned Si (111) substrates with n-type AlGaN layer. Chinese Physics B. 2020. 29(8). 87801
[2] Jiang Xingan, Zheng Changda*, Mo Chunlan, Wang Xiaolan, Zhang Jianli, Quan Zhijue, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Study on the performance of InGaN-based green LED by designing different preparing layers. Optical Materials. 2019. 89. 505-511
[3] Xu Chen, Zheng Changda*, Wu Xiaoming, Pan Shuan, Jiang Xingan, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Effects of V-pits covering layer position on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs. Journal of Semiconductors. 2019. 40(5). 52801
[4] Zhang Yihong, Lv Quanjiang, Zheng Changda*, Gao Jiangdong, Zhang Jianli, Liu Junlin. Recombination pathways and hole leakage behavior in InGaN/GaN multiple quantum wells with V-shaped pits. Superlattices and Microstructures. 2019. 136. 106284
[5] Zheng Changda, Wang Li, Mo Chunlan, Fang Wenqing et al., Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting Diode on Silicon Substrate. The Scientific World Journal, 2013, 2013: 4.
[6] Zheng Chang-da, Wang Li, Mo Chun-lan, Fang Wen-qing, Pu Yong, Xiong Chuan-bing, Jiang Feng-yi. Efficiency improvement of vertical structure GaN blue LEDs on Si(111) substrate by surface roughening. JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. 2007. 142. 127-130
[7]郑畅达; 张建立; 高江东; 王小兰; 王旋; 李丹; 江风益，一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，CN113192820B，已授权，发明专利。
