国家硅基LED工程技术研究中心

王光绪,博士,研究员

王光绪,山东昌乐人,博士,研究员,南昌大学“赣江特聘教授”,国家硅基LED工程技术研究中心副主任,南昌硅基半导体科技有限公司总裁,国家重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。2007年本科毕业于山东科技大学应用物理学专业,2012年博士毕业于南昌大学材料物理与化学专业(师从江风益院士)。

2018年入选江西省首批“青年井冈学者”,2020年入选江西省百千万人才工程,南昌市十佳创新团队“硅基LED照明科技创新团队”负责人,南昌市“直接联系人才”。完成的“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目荣获2020年江西省科学技术进步一等奖(排名第一),“高光效黄光LED制造技术取得重要突破”荣获全球半导体照明年度新闻奖,“金黄光LED照明光源”项目荣获中国照明学会“科技创新一等奖”。

致力于具有高光效、高可靠性的硅衬底GaN基LED芯片及器件的技术创新、研究开发及成果转化工作,有多项单元技术的突破,是硅基LED芯片的主要贡献人之一。主持国家工信部工业强基项目、国家重点研发专项、国家自然科学基金、中央引导地方基金、江西省科技支撑项目及南昌市重大科技攻关项目8项。近年来发表论文40余篇,已获授权专利20余项。指导参加第四届中国“互联网+”大学生创新创业大赛荣获金奖,被评为优秀创新创业导师。

Email:guangxuwang@ncu.edu.cn

主持科研项目情况:

1.主持,第二代硅衬底GaN基高功率LED薄膜转移技术的研究,江西省工业领域科技支撑项目,项目编号:20151BBE50111. (2015.01~2016.12). 20万

2.主持,超高反射率的Ag基欧姆接触层与p-GaN表面改性的协同研究,国家自然科学基金青年项目,项目编号:61604066. (2017.01~2019.12). 23万

3.主持,硅衬底GaN基LED及无荧光粉多基色白光LED模组技术及生产线实施方案,国家工业强基工程项目,0714-EMTC02-5593 /7. (2015.10-2018.10),1900万

4.主持,多色合一全光谱LED灯珠封装平台建设,中央引导地方基金,2018ZDD20003,(2018.01-2019.12), 73万

5.项目骨干参与,高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术,国家重点研发计划项目,2016YFB0400600.(2016.07-2020.06),7473万

6.项目骨干参与(排名第三),高效GaN基绿光LED研究,国家自然科学基金重点项目,61334001.(2014.01-2018.12),260万

7.LED芯片技术带头人,  LED生产用关键装备MOCVD研发与产业化,工信部电子发展基金项目;2013.01-2015.12,600万

发表的论文:


    徐帅,王光绪*,吴小明,等. Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理[J]. 发光学报. 2019, 40(7): 865.


    Wang G, Deng J, Guo X. Electrohydrodynamic assisted droplet alignment for lens fabrication by droplet evaporation[J]. Journal of Applied Physics. 2018, 123(16): 163102.


    王光绪*,陈鹏,刘军林等. 刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响[J]. 物理学报. 2016, 65(8): 88501.


    Wang G*, Tao X, Liu J, et al. Temperature-dependent electroluminescence from InGaN/GaN green light-emitting diodes on silicon with different quantum-well structures[J]. Semiconductor Science and Technology. 2015, 30(1): 15018.


    Wang G X, Xiong C B, Liu J L, et al. Improving p-type contact characteristics by Ni-assisted annealing and effects on surface morphologic evolution of InGaN LED films grown on Si (111)[J]. Applied Surface Science. 2011, 257(20): 8675-8678.


    王光绪,陶喜霞,熊传兵,等. 牺牲 Ni 退火对硅衬底 GaN 基发光二极管 P 型接触影响的研究[J]. 物理学报. 2011, 60(7): 808-813.


    王光绪*,熊传兵,王立,等. Si 衬底 LED 薄膜芯片 Ni/Ag 反射镜保护技术[J]. 半导体技术. 2013, 38(4): 283-287.


    王光绪,熊传兵,汪延明,等. Si 衬底 GaN 电镀金属基板 LED 芯片性能研究[100]. 第十二届全国 LED 产业研讨与学术会议论文集. 深圳: 2010.


    王光绪,熊传兵,刘彦松,等. 硅衬底 GaN 基单量子阱绿光 LED 量子效率的研究[100]. 全国光电子与量子电子学技术大会论文集. 北京: 2011.


    王光绪,熊传兵,王立,等. Si基LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术研究[100]. 第十三届全国 LED 产业研讨与学术会议论文集. 武汉: 2012.

授权的专利:


    王光绪,刘军林,江风益,一种LED薄膜芯片的半导体基板,ZL201320330460.1。2013-11-20授权


    王光绪,刘军林,汤英文,陶喜霞,江风益,一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构,ZL201410483425.2。2017-03-22授权


    王光绪,刘军林,江风益,低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法,ZL201310383588.9。2016-04-13授权


    王光绪,刘军林,陶喜霞,江风益,一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构, ZL201410483424.8。2017-01-18授权


    汤英文,王光绪,刘军林,熊传兵,江风益,能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制备方法及结构,ZL201410483423.3。2017-06-16授权


    刘军林,王光绪,陶喜霞,江风益,一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底,ZL201310306334.7。2016-03-02授权


    王光绪; 江风益; 刘军林; 吴小明; 全知觉; 张建立,照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构,ZL201610210910.1。2018-03-02授权


    唐文明,王光绪,全知觉,江风益,一种照明驱蚊两用发光二极管灯具,ZL201620278924.2,2017-01-25授权。


    郭醒,王光绪,付江,李树强,张建立,莫春兰,全知觉,刘军林,江风益,一种无荧光粉的全光谱LED封装结构,ZL201621441475.5,2017-08-11授权。


    郭醒,王光绪,付江,刘军林,江风益,一种无荧光粉型黄白光LED路灯,ZL201720633003.8,2018-03-13授权。


    郭醒,王光绪,付江,李建华,刘军林,江风益,一种直接板上芯片的LED封装结构,ZL201720646865.4,2018-05-15授权


    李树强,陈芳,施维,王光绪,江风益;一种薄膜LED芯片结构,ZL201721210860.3, 2018-04-27授权


    郭醒,王光绪,付江,刘军林,江风益,一种无荧光粉型黄绿光LED强光手电筒,ZL201720553900.8,2017-12-19授权


    王光绪,郭醒,施维,万文华,刘军林,江风益,一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片及其制备方法,CN201810947645.4,              2018.08.22申请


    郭醒,王光绪,刘军林,李树强,陈芳,吴小明,江风益,一种具有掩膜层的反极性LED芯片及其制备方法,CN201810937533.0              2018.08.16申请


    王光绪,郭醒,陈芳,刘军林,李树强,江风益,一种LED芯片的封装模块及其制备方法,              CN201810299136.5               2018.03.30申请


    王光绪; 郭醒; 陈芳; 刘军林; 李树强; 江风益;一种LED芯片的封装模块,CN201820473135.3              2018.12.21授权


    李树强,陈芳,郭醒,吴小明,王光绪,刘军林,江风益,一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片,ZL201820161161.2,2018-10-12授权


    李树强,陈芳,郭醒,吴小明,王光绪,刘军林,江风益,一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法,              CN201810093125.1,2018-06-22公开


    郭醒,王光绪,张建立,付江,李树强,刘军林,江风益,一种LED芯片的封装产品,ZL201821327076.5,2019,02,22授权