基本情况：
潘拴，现任南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副研究员、硕士生导师，南昌实验室分析检测中心主任。2003年、2009年于中国科学技术大学分别获得学士、博士学位。2009年至2010年在香港中文大学物理系从事研究工作。2012年加入南昌大学。主要从事半导体发光材料及器件的表征和光电性能研究工作。担任中国计量测试协会第八届理事会离子与原子探针专业委员会委员。
联系方式：
电话：0791-88317017
邮箱：panshuan@ncu.edu.cn
承担课题情况：
1.高效率GaN基红光MicroLED材料生长及器件制备技术研究，江西省重大科技研发专项-“揭榜挂帅”关键技术类项目，项目经费500万元（个人主持部分200万元），2022年10月至2025年9月，子课题负责人。
2.典型裂变核素定量分析模型开发，中国核动力研究设计院夹江基地，项目经费53.5万元，2024年11月至2025年11月，项目负责人。
3.氮化镓基LED材料的二次离子质谱定量分析，国家自然科学基金青年基金项目，项目经费25万元，2015年1月至2017年12月，项目负责人。
4.AR眼镜专用微显示屏研制，江西省科技重大专项“2030先锋工程”项目，项目经费700万元，2025年5月至2028年5月，排名第二。
授权专利情况
1.潘拴，张优政，张建立，李丹，杨小霞。一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法：CN113109415B[P]。2024-06-14
2.潘拴，陈芝向，张建立，郑畅达，王小兰，高江东，李丹，杨小霞。 一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法：CN114823284B[P]。2026-02-06
3.潘拴，廖含川，张建立，王小兰，高江东，李丹，杨小霞。一种p型Ⅲ族氮化物激活效果的表征方法：CN116298400B[P]。2026-05-12
发表论文情况：
1.李嘉祥，潘拴*，刘军林，吴小明。低色温无荧光粉LED 光源的可靠性研究，发光学报，2020，41（3）：323-330
2.Chen Xu, Changda Zheng*, Xiaoming Wu, Shuan Pan, Xingan Jiang, Junlin Liu and Fengyi Jiang; Effects of V-pits covering layer position on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs, Journal of Semiconductors，2019, 40(5): 052801
3.Fengyi Jiang*, Jianli Zhang, Longquan Xu, Jie Ding, Guangxu Wang, Xiaoming Wu, Xiaolan Wang, Chunlan Mo, Zhijue Quan, Xing Guo, Changda Zheng, Shuan Pan, and Junlin Liu; Efficient InGaN-based yellow-light-emitting diodes， Photonics Research, 2019, 7(2): 144-148
4. Weijing Qi, Jianli Zhang*, Chunlan Mo, Xiaolan Wang, Xiaoming Wu, Zhijue Quan, Guangxu Wang, Shuan Pan, Fang Fang, Junlin Liu, and Fengyi Jiang，Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates，Jounal of Applied Physics,2017, 122: 084504
5.齐维靖，张萌*，潘拴，王小兰，张建立，江风益。InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响，物理学报，2016，65( 7)：077801
