国家硅基LED工程技术研究中心

潘拴,博士,副研究员

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基本情况:

潘拴,博士、副研究员,山东博兴人,南昌大学赣江青年学者。2003年、2009年于中国科学技术大学分别获得学士、博士学位。2009年-2010年在香港中文大学物理系从事研究工作。2012年加入南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

研究方向:

   半导体发光材料及器件的表征和光电性能研究。

联系方式:

电话:0791-88317017

邮箱:panshuan@ncu.edu.cn

承担课题情况:

主持完成国家自然科学基金青年基金项目:氮化镓基LED材料的二次离子质谱定量分析;项目号 21405076;经费25万元;执行年限2015.1-2017.12。

发表论文情况:

(1) 李嘉祥,潘拴*,刘军林,吴小明;低色温无荧光粉LED 光源的可靠性研究,发光学报,2020,41(3): 323-330

(2)Chen Xu, Changda Zheng*, Xiaoming Wu, Shuan Pan, Xingan Jiang, Junlin Liu and Fengyi Jiang; Effects of V-pits covering layer position on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs, Journal of Semiconductors,2019, 40(5): 052801

(3)Fengyi Jiang*, Jianli Zhang, Longquan Xu, Jie Ding, Guangxu Wang, Xiaoming Wu, Xiaolan Wang, Chunlan Mo, Zhijue Quan, Xing Guo, Changda Zheng, Shuan Pan, and Junlin Liu; Efficient InGaN-based yellow-light-emitting diodes, Photonics Research, 2019, 7(2): 144-148

(4) Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates, Weijing Qi, Jianli Zhang*, Chunlan Mo, Xiaolan Wang, Xiaoming Wu, Zhijue Quan, Guangxu Wang, Shuan Pan, Fang Fang, Junlin Liu, and Fengyi Jiang,Jounal of Applied Physics,2017, 122: 084504

(5) InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响,齐维靖,张萌*,潘拴,王小兰,张建立,江风益,物理学报,2016, 65( 7): 077801