曹盛，江西南昌人，博士，助理研究员，硕士生导师。2006年中国科学技术大学获学士学位，2011年中国科学院上海硅酸盐研究所获博士学位，2019年加入南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，在本工程中心九大板块之一“半导体分析测试与模拟仿真”中，从事模拟仿真与InGaN太阳电池研制工作。主要贡献为：开展了MOCVD装备的模拟设计研究，为工程中心成功研制生产型MOCVD装备作出了贡献，协助板块负责人搭建了InGaN光伏技术的软、硬件平台。主持中央引导地方基金项目1项，以第一发明人获授权发明专利1件，以第一作者或通讯作者发表论文2篇。协助推进从基础研究到产业化有机衔接的企业化科教融合的研究生培养模式，获江西省2021年度教学成果特等奖一项（排5）。近三年协助培养硕士研究生3名，其中已毕业1名。
主要研究方向：
InGaN太阳电池、半导体器件物理
联系方式：
邮箱：caosheng@ncu.edu.cn
承担科研项目:
主持中央引导地方科技发展资金项目：国家硅基LED工程技术研究中心；项目号20221ZDD02004；经费100万元；执行年限2022年1月-2022年12月。
发表论文情况：
1、Sheng Cao, Xiaoming Wu*, et al. Carrier Dynamics Determined by Carrier-Phonon Coupling in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue Light Emitting Diodes. CHINESE PHYSICS LETTERS. 2019,36(2):028501.
2、Qingfeng Wu, Sheng Cao*, Chun-lan Mo, et al. Effects of Hydrogen Treatment in Barrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with V-Shaped Pits Grown on Si Substrates. CHINESE PHYSICS LETTERS. 2018,35(9):098501.
授权专利情况：
1、曹盛，徐龙权，张建立，全知觉，赵鹏，罗磊，江风益；一种用于MOCVD设备的喷淋头，中国发明专利，ZL201611022509.1。
2、徐龙权，丁杰，张建立，曹盛，赵鹏，罗磊，江风益；一种化学气相沉积装置，中国发明专利，ZL201611222834.2。
