王立，博士，1976年出生，南昌大学“赣江杰出教授”，博士生导师。现任南昌实验室副主任、国家硅基LED工程技术研究中心主任。国家百千万人才，国家有突出贡献的中青年专家，享受国务院政府特殊津贴，获中华人民共和国成立70周年纪念章。主持国家重点研发计划项目、国家863计划项目、国家自然科学基金，以及省级重点、重大科研课题10多项，项目专项总经费8000多万元。曾获得国家技术发明一等奖1项（排名第三），国家教学成果二等奖1项（排名第八），江西省科学技术奖励4项。发表学术论文100多篇，获得授权专利30多项。参与创办晶能光电公司、南昌硅基半导体科技有限公司，并分别兼任总工程师、副总裁等职，实现了科技成果的产业化。主要研究领域为新型半导体光电子材料与器件，当前研究兴趣包括高光效 LED器件制备、Micro-LED新型显示技术、硅基GaN光电集成技术等。
获得科研奖励
1. V形PN结半导体发光器件，江西省自然科学特等奖，2023
2. 硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管, 国家技术发明一等奖，2015
3. 硅衬底GaN基发光二极管, 江西省技术发明一等奖，2012
4. ZnO薄膜的MOCVD生长及特性研究, 江西省自然科学三等奖,2012
5. 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法, 江西省专利奖，2011
承担科研项目
1. 国家重点研发专项，2022YFB3603400，面向AR应用的高像素密度Micro-LED微显示关键技术，2022-2025，2000万，主持，在研
2. 江西省关键共性技术揭榜挂帅项目，20223AAE01006，高效率GaN基红光MicroLED材料生长及器件制备技术研究，2022-2025，500万，主持，在研
3. 江西省重点研发计划项目，20212BBE51004，面向VR/AR应用的全彩硅衬底垂直结构MicroLED显示模组研制，2021-2024，100万，主持，在研
4. 国家自然科学基金项目，61964011，等离子体诱导量子点配体聚合机理及其在高密度发光像素制备上的应用，2020-2023，48万，主持，在研
5. 国家重点研发计划子课题，2018YFB0406704，新型有机无机钙钛矿材料设计与高效LED 器件研究，2018-2021， 18.8万，主持，结题
6. 国家自然科学基金项目，61564007，ZnO模板上高In组分InGaN薄膜的原子层外延生长及其光伏性能研究，2016/01–2019/12，47.6万，主持，结题
7. 江西省5511科技创新人才计划，20165BCB18004，柔性衬底上InN低温生长及薄膜晶体管制备研究，2017/01-2019/12，50万，主持，结题
8. 江西省杰出青年人才资助计划，20171BCB23005，2017/01-2019/12，15万
9. 江西省“赣鄱英才555工程”创新领军人才项目，大尺寸Si衬底GaN基LED技术研究，2013/01-2015/12，100万，主持，结题
10. 江西省科技支撑计划, 20141BBE50035,第二代图形化硅衬底GaN材料制备技术,2014/01-2016/12，20万，主持，结题
11. 国家自然科学基金项目，11364034，GaN基蓝光LED内量子效率的温度droop效应研究，2014/01–2017/12，45万，参与，结题
12. 国家863计划重大专项课题，2011AA03A101，大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术，2011/01–2013/12，5565万，主持，结题
13. 工信部电子信息产业发展基金，半导体照明用图形化硅衬底研发及产业化，2010/07-2013/06，200万，主持，结题
14. 江西省科技重大专项，2009AZD20301,彩电背光用大功率芯片封装关键技术研究，2009/12-2011/12，100万，主持，结题
15. 国家863计划课题，2009AA03A199，硅衬底GaN外延材料生长与芯片制造关键技术，2009/06-2010/08，600万，课题副组长，结题
代表性学术成果
1，Zhenwei Zhang, Junkai Zhang, Yixing Zhao, Yanli Wan, Sen Li, Yingwen Tang, Tao Li, Tingfang Tian*, Li Wang，Reviving aged CsPbBr3 quantum dots by triallylamine etching，Applied Surface Science 612，155775,2023
2, Yixing Zhao, Tingfang Tian,* Zhenwei Zhang, Sen Li, and Li Wang，Boosting the Synthetic Yield and Stability of CsPbBr3 Nanocrystals via Solvent Injection Quenching for Future Microscale Displays，ACS Appl. Nano Mater. 5, 11889−11895，2022
3，Tingfang Tian, Xuhui Xiong, Yaxuan Zhao, Hao Li, Wei Wang, Li Wang⁎，Ultra-wideband warm white light emission from self-trapped excitons in CsAgCl2，Journal of Alloys and Compounds 895，162632，2022
4，Wei Wang, Rui Guo, Xuhui Xiong, Hu Liu, Wei Chen*, Shengmin Hu, Eric Amador, Baojiu Chen, Xinhui Zhang, Li Wang*, Improved Stability and Efficiency of Perovskite Via a Simple Solid Diffusion Method， Materials Today Physics 18，100374, 2021
5, Shanming Ke, Shangyu Luo, Jinhui Gong, Liwen Qiu, Renhong Liang, Yangbo Zhou, Bingcheng Luo, Baochang Cheng, Li Wang*，Longlong Shu,* Electric modulation of conduction in MAPbBr3 single crystals, Journal of Advanced Ceramics 10, 320-327, 2021
6，Wei Wang, Jinhui Gong, Siyu Guo, Lin Jiang, Shaochao Liu, Li Wang*，Synthesis of halide perovskite microwires via methylammonium cations reaction，Frontiers of Materials Science，14, 332–340，2020
7，Xuhui Xiong, Hu Liu, Wei Wang, Jinhui Gong, Xiangting Chen, Yaxuan Zhao, Tingfang Tian*, Li Wang*, Fluorescence-enhanced Cs4PbBr6/CsPbBr3 composites films synthesized by double-films solid phase reaction method, Luminescence. 36, 631-641, 2020
8，Siyu Guo, Hu Liu,* Haiyang He, Wei Wang, Lin Jiang, Xuhui Xiong, and Li Wang*，Eco-Friendly Strategy To Improve Durability and Stability of Zwitterionic Capping Ligand Colloidal CsPbBr3 Nanocrystals，Langmuir, 36, 6775−6781，2020
9，Longlong Shu, Shanming Ke, Linfeng Fei, Wenbin Huang, Zhiguo Wang, Jinhui Gong, Xiaoning Jiang, Li Wang, Fei Li, Shuijin Lei, Zhenggang Rao, Yangbo Zhou, Ren-Kui Zheng, Xi Yao, Yu Wang, Massimiliano Stengel & Gustau Catalan, Photoflexoelectric effect in halide perovskites, Nature Materials, 19, 605–609, 2020
10，Xiao Yang, Fan Li, * Xiaofeng Wang, Yifei Xu, Haoliang Wei and Li Wang*, In situ tetrafluoroborate-modified MAPbBr3 nanocrystals showing high photoluminescence, stability and self-assembly behavior, J. Mater. Chem. C, 8, 1989-1997, 2020
11，Li Wang*, Yiyuan Zhu, Hu Liu, Jinghui Gong, Wei Wang, Siyu Guo, Yao Yu, Haiyan Peng, Yonggui Liao*，Giant Stability Enhancement of CsPbX3 Nanocrystal Films by Plasma-Induced Ligand Polymerization，ACS Appl. Mater. Interfaces，11，35270-35276，2019
12，Hu Liu, Haiyang He, Qinyao Sun, Kaixi Lin, Yong Yao, Li Wang*，A new approach to stabilize the CsPbX3 quantum dots by double chemical coupling with stress，Journal of Alloys and Compounds, 782, 235-241，2019
13，Hong Peng, Xingcan Feng, Jinhui Gong, Wei Wang, Hu Liu, Zhijue Quan, Shuan Pan，Li Wang*， Low temperature growth of polycrystalline InN films on non-crystalline substrates by plasma enhanced atomic layer deposition，Appl. Surf. Sci. 459, 830-834，2018
14，Xingcan Feng, Hong Peng, Jinhui Gong, Wei Wang, Hu Liu, Zhijue Quan, Shuan Pan, Li Wang⁎，Epitaxial growth of InN thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition，J. Appl. Phys.124, 243104，2018
15，Yuandan He, Jinhui Gong, Yiyuan Zhu, Xingcan Feng, Hong Peng, Wei Wang, Haiyang He, Hu Liu*, Li Wang*，Highly pure yellow light emission of perovskite CsPb(BrxI1-x)3 quantum dots and their application for yellow light-emitting diodes, Optical Materials 80, 1-6, 2018
16，Yiyuan Zhu, Yuandan He, Jinhui Gong, Xingcan Feng, Hong Peng, Wei Wang, Haiyang He, Hu Liu, and Li Wang*，Highly stable all-inorganic CsPbBr3 nanocrystals film encapsulated with alumina by plasma enhanced atomic layer deposition, Materials Express 8, 469-474, 2018
17，Jinhui Gong, Shitao Liu, Yuandan He, Xingcan Feng, Xuefeng Xia, Zhijue Quan, Li Wang*, Study on the band alignment of GaN/CH3NH3PbBr3 heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy, Appl. Phys. Lett. 111, 122103, 2017
18，Shitao Liu, Feifei Wu, Qi Yang, Yuandan He, Jianli Zhang, Zhijue Quan, Haibin Huang, Li Wang*, Influence of carrier escape mechanism on the operating wavelength of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells, Optoelctron. Adv. Mat. 11, 555–559, 2017
19，Shitao Liu, Zhijue Quan, Li Wang*, Carrier transport via V-shaped pits in InGaN/GaN MQW solar cells, Chinese Phys. B 26, 038104, 2017
20，Shitao Liu, Li Wang*, Zhijue Quan, Role of n-ZnO layer on the improvement of interfacial properties in ZnO/InGaN p-i-n solar cells, Trans. Tianjin Univ. 23，1–7, 2017
21，Li Wang*, Feifei Wu, Shitao Liu, Qi Yang, Yong Zhao, Daofu Han, Zhijue Quan, Fengyi Jiang, Reduction of the resistivity of Ag/p-GaN contact by progressive breakdown of the interfacial contamination layer, J. Appl. Phys. 118, 165703, 2015
22，Zhijue Quan*, Li Wang*, Changda Zheng, Junlin Liu, Fengyi Jiang, Roles of V-shaped pits on the improvement of quantum efficiency in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes，J. Appl. Phys. 116, 183107, 2014
23，Li Wang*, Zhiyong Cui, Fusheng Huang, Qin Wu, Wen Liu, Xiaolan Wang, Qinghua Mao, Jianli Zhang, Fengyi Jiang, Influence of miscut angle of Si(111) substrates on the performance of InGaN LEDs, Appl. Phys. Express 7, 012102, 2014
24，Li Wang*, Fusheng Huang, Zhiyong Cui, Qin Wu, Wen Liu, Changda Zheng, Qinghua Mao, Chuanbing Xiong, Fengyi Jiang, Crystallographic tilting of AlN/GaN layers on miscut Si (111) substrates, Mater. Lett. 115, 89–91, 2014
25，Danyang Chen, Li Wang*, Chuanbing Xiong, Changda Zheng, Chunlan Mo, Fengyi Jiang, Stress distribution in GaN films grown on patterned Si (111) substrates and its effect on LED performance, Chinese Phys. Lett. 30, 098101, 2013
26，王立, 吴小明, 刘虎, 李璠, 赵婕, 田婷芳, 饶郑刚, 莫春兰, 江风益; 一种多色Micro LED发光模组制备方法，中国发明专利，ZL 2020 1 0601783.4
27、王立，朱怡远，胶体量子点图案化方法，中国发明专利，ZL 201811213615.7，授权日2020.7.14
28、Wang Li；Jiang Fengyi；Fang Wenqing，InGaAlN Light-Emitting Device，美国发明专利，US7692205，授权日期2010.4.6
29、Wang Li；Jiang Fengyi；Zhou Maoxing；Fang Wenqing，Semiconductor Light-Emitting Device with Electrode for N-Polar InGaAlN Surface，美国发明专利，US7705348，授权日期2010.4.27
30、Wang Li；Jiang Fengyi；Tang Yingwen；Liu Junlin，Method for fabricating high-power light-emitting diodes arrays，美国发明专利，US8044416，授权日期2011.10.25
31、Wang Li, Jiang Fengyi, Method For Obtaining High-quality Boundary For Semiconductor Devices Fabricated on A Patitioned Substrate, 美国发明专利，US8426325, 授权日期2013-4-23
32、Wang Li, Jiang Fengyi, Method For Fabricating Robust Light-emitting Diodes，美国发明专利，US8222063，授权日期2012-7-17
33、Wang Li；Jiang Fengyi，Method for Obtaining High-Quality Boundary for Semiconductor Devices Fabricated on a Partitioned Substrate，欧洲发明专利，EP2140504，授权日期2011.4.20
34、王立；江风益，获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法，中国发明专利，ZL 200710104428.0，授权日期2010.1.13
35、王立；江风益，制备牢固的发光二极管的方法，中国发明专利，ZL 200880128208.4，授权日期2011.11.16
36、王立；方文卿；江风益，在硅衬底上制备铟镓铝氮材料的方法中国发明专利，ZL200510027808.X，授权日期2008.2，
37、王立；江风益；周毛兴；方文卿，含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法，中国发明专利，ZL200510030874.2，授权日期2008.3
38、王立；江风益；汤英文；刘卫华，一种制造半导体发光器件的方法， 中国发明专利，ZL200780101041.8，授权日期2012.11.28
39、王立，汤英文，江风益，一种倒装半导体发光器件及其制造方法， 中国发明专利，ZL201110325094.6，授权日期2013.11
40、王立、江风益、方文卿，铟镓铝氮发光器件，中国发明专利，ZL200510030320.2，授权日期2007.8.8
联系方式
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