个人简介
张建立博士，1983年出生。2014年毕业于南昌大学，现南昌大学教授，博士生导师，国家硅基LED工程技术研究中心副主任，教育部发光材料与器件工程研究中心主任，南昌大学“双一流”学科建设“发光新材料技术”方向带头人。主要从事硅衬底GaN相关研究，包括硅衬底GaN材料生长、InGaN长波段LED研制、多基色LED配色与应用、硅衬底GaN射频器件开发等。发表学术论文60余篇，参与编写论著3本、获授权发明专利15件，主持和参与国家级、省部级项目十余项。
承担科研项目
1. 国家重点研发计划项目，InGaN基长波段LED关键技术，2022YFB3608500，主持，2022-2025，3300万元，在研
2. 国家重点研发计划课题，超高能效白光LED光谱设计与新型高效器件研究，2017YFB0403105，主持，2017-2021，388万元，结题。
3. 国家自然科学基金青年项目，基于V型坑的InGaN三维量子阱生长与性能研究，51602141，主持，2017-2019，20万元，结题。
代表性学术成果
Shengnan Zhang, Jianli Zhang*, Jiangdong Gao, Xiaolan Wang, Changda Zheng, Meng Zhang, Xiaoming Wu, Longquan Xu, Jie Ding, Zhijue Quan, and Fengyi Jiang, Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red, Photon. Res., 8, 1671-1675 (2020)
Xudong Yang, Jianli Zhang*, Xiaolan Wang, Changda Zheng, Zhijue Quan, Fengyi Jiang, Enhance the efficiency of green-yellow LED by optimizing the growth condition of preparation layer, Superlattices and Microstructures, 141, 106459(2020)
Gao, Jiang-Dong; Zhang, Jian-Li*; Zhu, Xin; Wu, Xiao-Ming; Mo, Chun-Lan; Pan, Shuan; Liu, Jun-Lin; Jiang, Feng-Yi, Detailed surface analysis of V-defects in GaN films on patterned silicon(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition, J. Appl. Cryst., 52, 637-642(2019)
Fengyi Jiang, Jianli Zhang, Qian Sun, ZhijueQuan, Light-Emitting Diodes: GaN LEDs on Si Substrate(专著), Springer, (2019)
Zhang, Jianli; Wang, Xiaolan*; Liu, Junlin; Mo, Chunlan; Wu, Xiaoming; Wang, Guangxu; Jiang, Fengyi, Study on Carrier transportation in InGaN based green LEDs with V-pits structure in the active region, Opt. Mater., 86 , 46-50(2018)
联系方式
邮箱：zhangjianli@ncu.edu.cn
地 址：江西省南昌市艾溪湖北路679号，国家硅基LED工程技术研究中心
办公室：中心大楼304
欢迎对本课题组研究领域感兴趣的博士后、博士生、硕士生、本科同学加入。
