国家硅基LED工程技术研究中心

全知觉,博士,研究员


个人简介

全知觉,江西临川人,博士南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研究员,博士生导师,南昌大学国家“双一流”计划建设学科(材料科学与工程)GaN基光电探测材料与器件子方向负责人,南昌大学材料科学研究所所长,南昌实验室(江西首个省实验室)教培中心主任1999年与2002年毕业于中北大学分获学士、硕士学位;20071月毕业于中国科学院上海技术物理研究所获理学博士学位。参与和主持国家及江西省重大专项、国家及江西省自然科学基金等10余项;发表论文60余篇,获授权及申请发明专利10余项;获江西省自然科学特等奖一项,国家及江西省教学成果奖各一项。研究方向:III族氮化物光电探测器/太阳电池/LED的材料生长与器件制备、器件性能分析及数值模拟。

联系方式

箱:quanzhijue@ncu.edu.cn

址:南昌市艾溪湖北路679号南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

所获省级以上奖励

1. VPN结半导体发光器件2022年度江西省自然科学奖特等奖,第四完成人,20238

2. 从基础研究到产业化有机衔接的企业化科教融合培养模式2022年度国家级教学成果奖二等奖,第二完成人,20237

3. 基于国家研发平台的研究生培养企业化科教融合新模式第十七批江西省教学成果奖特等奖,第二完成人,202112

科研项目

1. 参与国家重点研发计划:面向AR应用的高像素密度Micro-LED微显示关键技术;项目号2022YFB3603400;经费2000万;执行年限2022.11-2025.10

2. 主持国家自然科学基金面上项目:氮化镓基发光二极管中V坑空穴注入的研究;项目号 11674147;直接经费66万;执行年限2017.01-2020.12;已结题。

3. 主持江西省重点研发计划一般项目:硅衬底GaN基垂直结构LED超大芯片的制造技术;项目号20171BBE50052;经费20万;执行年限2017.01-2019.12;已结题。

4. 主持江西省自然科学基金面上项目:InGaN/GaN多量子阱发光二极管中V型缺陷的作用及其机理研究;项目号20161BAB201011;经费5万;执行年限2016.01-2017.12;已结题

5. 主持国家自然科学基金地区项目:GaN基蓝光LED内量子效率的温度droop效应研究;项目号11364034;经费45万;执行年限2014.01-2017.12;已结题。

授权发明专利

全知觉,何丽华,曹盛,佟金山,汤绘华,王立一种类分子束外延设备及薄膜制备方法,中国发明专利,ZL 202210423243.0,授权日期2023/6/27

全知觉陶喜霞徐龙权丁杰莫春兰张建立王小兰刘军林江风益一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构,中国发明专利,ZL201710286225.1,授权日期2019/10/10

全知觉陶喜霞徐龙权丁杰莫春兰张建立王小兰刘军林江风益一种AlInGaN基绿、黄光发光二极管的外延结构,中国发明专利,ZL201710286224.7,授权日期2019/9/24

全知觉,刘军林,吴小明,江风益;一种AlInGaN薄膜的外延结构及生长方法,中国发明专利,ZL201410219231.1,授权日期2017/1/18

代表性论文

1. 江风益全知觉从基础研究到产业化全链条创新与研究生培养机制探索[J],中国高等教育2022(15):21-23

2. Zhijue Quan, Jianli Zhang and Fengyi Jiang*, GaN-Based LEDs on Si Substrate, Phosphor Handbook (Third Edition): Luminescent and Applied Materials, CRC Press (Taylor & Francis Group), Chapter 3.6, pp. 211231 (2022)

3. Feng Deng, Zhi-Jue Quan*, Yi Xu, Jiang-Dong Gao, Chang-Da Zheng, Xiao-Ming Wu, Jian-Li Zhang, Xiao-Lan Wang, Chun-Lan Mo, and Jun-Lin LiuEffect of hole blocking layer on V-pit hole injection and internal quantum efficiency in GaN-based yellow LEDJ. Appl. Phys. 127, 185704 (2020)

4. 潘洪英,全知觉*p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究, 物理学报68(19), 196103 (2019)

5. 许毅,吴庆丰,周圣军,潘拴,吴小明,张建立,全知觉*GaN基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响,发光学报, 39(5), p674-680(2018)

6. Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, G. X. Wang, F. Y. Jiang, Effect of V-shaped Pit area ratio on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes, Opt. Quant. Electron., 48(3), 195:1-8 2016

7. Zhijue Quan*, Junlin Liu, Fang Fang, Guangxu Wang, and Fengyi Jiang, A new interpretation for performance improvement of high-efficiency vertical blue light-emitting diodes by InGaN/GaN superlattices, Journal of Applied Physics, 11819, 193102:1-6  2015

8. Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, and F. Y. Jiang, Effect of V-shaped pit density on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes: Simulation, the 15th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), Taipei, china, 2015.9.7-11.

9. 武芹,全知觉*,王立,刘文,张建立,江风益;Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响,发光学报, 04期, pp466-471(2015)

10. Zhijue Quan*, Li Wang*, Changda Zheng, Junlin Liu, and Fengyi Jiang, Roles of V-shaped pits on the improvement of quantum efficiency in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes, Journal of Applied Physics, 116(18), 183107 (2014

11. Z.J. Quan*, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. LuEffects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devicesInfrared physics & technology, 50: 1-8 (2007)

12. Z.J. Quan, X.S. Chen*, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu, Z.F. Li and W. Lu, Modeling of dark characteristics for long-wavelength HgCdTe photodiodeOptical and Quantum Electronics, 38(12/14):1107-1113 (2006)

13. Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. Lu*Parameter determination from resistance-voltage curve for long-wavelength HgCdTe photodiodeJ. appl. Phys., 100: 084503 (2006)

14. 全知觉,孙立忠,叶振华,李志锋,陆卫;碲镉汞异质结能带结构的优化设计,物理学报55(7), 3611-3616 (2006)

15. 全知觉,叶振华,胡伟达,李志锋,陆卫;降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究红外与毫米波学报Vol.25(5):329-332(2006)

16. 全知觉李志锋,胡伟达,叶振华,陆卫;光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究红外与毫米波学报Vol.27(2):92-96(2006)

17. Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. LuStudy on parameters extraction from the dark characteristics of LW HgCdTe photodiode,The 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics (IRMMW-THz2006) , Shanghai (China), Sep.18-22, 2006.

18. Quan ZhijueChen XiaoshuangLu WeiThe modeling of dark characteristics for longwavelength HgCdTe photodiode6th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices29-30Nanyang Technol Univ, Singapore, SINGAPORE2006.9.11-2006.9.14

19. Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. LuEffects of material natures on the simulation of HgCdTe photovoltaic devicesThe 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves (IRMMW2005), New York (America)Sep. 29-Oct. 3, 2005