个人简介
全知觉，江西临川人，博士，南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研究员，博士生导师，南昌大学国家“双一流”计划世界一流学科子方向负责人，南昌大学材料科学研究所所长；“科技部重点领域创新团队”、“全国教育系统先进集体”、“全国五一劳动奖章授予单位”核心成员。1999年与2002年毕业于中北大学分获学士、硕士学位；2007年1月毕业于中国科学院上海技术物理研究所获理学博士学位。参与和主持国家及江西省重大专项、国家及江西省自然科学基金等10余项；发表论文60余篇，获授权发明专利10余项；2026年获国家自然科学一等奖（排4），2023年获国家教学成果二等奖（排2）。研究方向：III族氮化物激光器/LED的材料生长与器件制备、器件性能分析及数值模拟。
联系方式
邮 箱：quanzhijue@ncu.edu.cn
地 址：南昌市艾溪湖北路679号南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
所获省级以上奖励
1. “V缺陷三维PN结及应用”，2025年度国家自然科学奖一等奖，第四完成人，2026年7月
2. “V形PN结半导体发光器件”，2022年度江西省自然科学奖特等奖，第四完成人，2023年8月
3. “从基础研究到产业化有机衔接的‘企业化科教融合’培养模式”，2022年度国家级教学成果奖二等奖，第二完成人，2023年7月
4. “基于国家研发平台的研究生培养‘企业化’科教融合新模式”，第十七批江西省教学成果奖特等奖，第二完成人，2021年12月
科研项目
1. 主持江西省未来新型显示学科交叉中心先导项目：面向未来显示应用的硅衬底GaN垂直腔面发射激光器（VCSEL）关键技术研究；经费200万；执行年限2025.01-2027.12。
2. 参与国家重点研发计划：面向AR应用的高像素密度Micro-LED微显示关键技术；项目号2022YFB3603400；经费2000万；执行年限2022.11-2025.10。
3. 主持国家自然科学基金面上项目：氮化镓基发光二极管中V坑空穴注入的研究；项目号 11674147；直接经费66万；执行年限2017.01-2020.12；已结题。
4. 主持江西省重点研发计划一般项目：硅衬底GaN基垂直结构LED超大芯片的制造技术；项目号20171BBE50052；经费20万；执行年限2017.01-2019.12；已结题。
5. 主持江西省自然科学基金面上项目：InGaN/GaN多量子阱发光二极管中V型缺陷的作用及其机理研究；项目号20161BAB201011；经费5万；执行年限2016.01-2017.12；已结题。
6. 主持国家自然科学基金地区项目：GaN基蓝光LED内量子效率的温度droop效应研究；项目号11364034；经费45万；执行年限2014.01-2017.12；已结题。
授权发明专利
1. 全知觉，朱珊珊，曹盛，高江东，王立；一种测量量子阱材料吸收系数的方法，中国发明专利，ZL 202310438492.1，授权日期2026/02/17
2. 全知觉，诸荣烽，曹盛，吴先民，何丽华，汤绘华，佟金山；一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，中国发明专利，ZL 202011200900.2，授权日期2025/04/22
3. 全知觉，刘军林，张建立，江风益，莫春兰，郑畅达，王小兰；一种AlInGaN基发光二极管，中国发明专利，ZL 201910522319.3，授权日期2024/04/02
4. 全知觉，吴佳楠，曹盛，高江东，王立，江风益；AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法，中国发明专利，ZL 202210470285.X，授权日期2023/11/28
5. 全知觉，何丽华，曹盛，佟金山，汤绘华，王立；一种类分子束外延设备及薄膜制备方法，中国发明专利，ZL 202210423243.0，授权日期2023/7/28
6. 全知觉，陶喜霞，徐龙权，丁杰，莫春兰，张建立，王小兰，刘军林，江风益；一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，中国发明专利，ZL201710286225.1，授权日期2019/10/10
7. 全知觉，陶喜霞，徐龙权，丁杰，莫春兰，张建立，王小兰，刘军林，江风益；一种AlInGaN基绿、黄光发光二极管的外延结构，中国发明专利，ZL201710286224.7，授权日期2019/9/24
8. 全知觉，刘军林，吴小明，江风益；一种AlInGaN薄膜的外延结构及生长方法，中国发明专利，ZL201410219231.1，授权日期2017/1/18
代表性论文
1. Zhijue Quan, Jianli Zhang and Fengyi Jiang*, GaN-Based LEDs on Si Substrate, Phosphor Handbook (Third Edition): Luminescent and Applied Materials, CRC Press (Taylor & Francis Group), Chapter 3.6, pp. 211–231 (2022)
2. Feng Deng, Zhi-Jue Quan*, Yi Xu, Jiang-Dong Gao, Chang-Da Zheng, Xiao-Ming Wu, Jian-Li Zhang, Xiao-Lan Wang, Chun-Lan Mo, and Jun-Lin Liu，Effect of hole blocking layer on V-pit hole injection and internal quantum efficiency in GaN-based yellow LED，J. Appl. Phys. 127, 185704 (2020)
3. 潘洪英，全知觉*；p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究, 物理学报，68(19), 196103 (2019)
4. 许毅，吴庆丰，周圣军，潘拴，吴小明，张建立，全知觉*；GaN基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响，发光学报, 39（5）, p674-680（2018）
5. Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, G. X. Wang, F. Y. Jiang, Effect of V-shaped Pit area ratio on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes, Opt. Quant. Electron., 48(3), 195:1-8 （2016）
6. Zhijue Quan*, Junlin Liu, Fang Fang, Guangxu Wang, and Fengyi Jiang, A new interpretation for performance improvement of high-efficiency vertical blue light-emitting diodes by InGaN/GaN superlattices, Journal of Applied Physics, 118（19）, 193102:1-6 （2015）
7. Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, and F. Y. Jiang, Effect of V-shaped pit density on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes: Simulation, the 15th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), Taipei, china, 2015.9.7-11.
8. 武芹，全知觉*，王立，刘文，张建立，江风益；Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响，发光学报, 04期, pp466-471（2015）
9. Zhijue Quan*, Li Wang*, Changda Zheng, Junlin Liu, and Fengyi Jiang, Roles of V-shaped pits on the improvement of quantum efficiency in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes, Journal of Applied Physics, 116(18), 183107 (2014）
10. Z.J. Quan*, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. Lu，Effects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，Infrared physics & technology, 50: 1-8 (2007)
11. Z.J. Quan, X.S. Chen*, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu, Z.F. Li and W. Lu, Modeling of dark characteristics for long-wavelength HgCdTe photodiode，Optical and Quantum Electronics, 38(12/14):1107-1113 (2006)
12. Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. Lu*，Parameter determination from resistance-voltage curve for long-wavelength HgCdTe photodiode，J. appl. Phys., 100: 084503 (2006)
13. 全知觉，孙立忠，叶振华，李志锋，陆卫；碲镉汞异质结能带结构的优化设计,物理学报，55(7), 3611-3616 (2006)
14. 全知觉，叶振华，胡伟达，李志锋，陆卫；降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究，红外与毫米波学报，Vol.25(5):329-332（2006）
15. 全知觉，李志锋，胡伟达，叶振华，陆卫；光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究，红外与毫米波学报，Vol.27(2):92-96（2006）
16. Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. Lu；Study on parameters extraction from the dark characteristics of LW HgCdTe photodiode,The 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics (IRMMW-THz2006) , Shanghai (China), Sep.18-22, 2006.
17. Quan Zhijue，Chen Xiaoshuang，Lu Wei；The modeling of dark characteristics for longwavelength HgCdTe photodiode，6th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices，29-30，Nanyang Technol Univ, Singapore, SINGAPORE，2006.9.11-2006.9.14
18. Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. Lu；Effects of material natures on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，The 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves (IRMMW2005), New York (America)，Sep. 29-Oct. 3, 2005
