国家硅基LED工程技术研究中心

吴小明,博士,副研究员

基本情况:

吴小明男,博士,江西新余人, 2014年博士毕业于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心2015留校现为南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副研究员,江西省发光材料重点实验室主任本领域权威杂志美国应用物理快报(SCI二区)美国应用物理学报以及中国物理快报等杂志发表多篇论文,论文Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes”发表后,作为半导体光电子器件的国际新闻,为英国著名行业杂志《semiconductor today》报道。2018年至今,主持研制的高光效AlGaInP红光LED,来自全国科研院所、高等院校、检测机构、联盟、协会、学会共12名专家组成鉴定委员会鉴定,达到国际先进水平。

研究方向:

高光效GaN基和AlGaInP基LED芯片研制、GaN电力电子器件研制以及MicroLED芯片研制

联系方式:

电话:0791-88317106

邮箱:xiaomingwu@ncu.edu.cn

承担课题情况:

主持国家自然科学基金青年基金项目InGaN/GaN多量子阱中声子与激子耦合行为研究;项目号11604137;经费24万元;执行年限201701月至 2019 12

发表的部分代表论文:

[1] X. Wu., J. Liu and F. Jiang (2015). "Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes." Journal of Applied Physics 118(16): 164504. 该文作为光电子材料与器件的国际新闻,获国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today 》转载。

[2] X. Wu., J. Liu, Z. Quan, C. Xiong, C. Zheng, J. Zhang, Q. Mao and F. Jiang (2014). "Electroluminescence from the sidewall quantum wells in the V-shaped pits of InGaN light emitting diodes." Applied Physics Letters 104(22): 221101.(SCI二区)

[3] X. Wu., J. Liu, C. Xiong, J. Zhang, Z. Quan, Q. Mao and F. Jiang (2013). "The effect of silicon doping in the barrier on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes." Journal of Applied Physics 114(10): 103102-103105.

[4] S. Cao, X.Wu., J. Liu, F. Jiang (2019). "Carrier Dynamics Determined by Carrier-Phonon Coupling in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue Light Emitting Diodes." Chinese physics letters 36(02): 92-95.(通讯作者)

[5] X. Liu, J. Liu, Q. Mao, X. Wu, J. Zhang, G. Wang, Z. Quan, C. Mo and F. Jiang (2015)Effects of p-AlGaN EBL thickness on the performance of InGaN green LEDs with large V-pits;期刊:Semiconductor Science & Technology(英国物理学会旗下期刊);期号:31;页码:025012;该文入选杂志亮点论文。

申请及授权的专利:

[1] 吴小明,刘军林,江风益,一种氮化物发光二极管的外延结构,ZL201310543241.6。已授权

[2] 刘军林, 吴小明, 莫春兰, 张建立, 王小兰, 江风益, 一种半导体发光二极管的外延装置, ZL201810106850.8。已授权