一、个人简介
郑畅达，博士，1979年出生，南昌大学副研究员，硕士研究生导师。2001年本科毕业于景德镇陶瓷学院热能与动力工程专业，2014年博士毕业于南昌大学材料物理与化学专业；主持国家重点研发计划课题1项、江西省重大研发专项课题1项、国家自然科学基金课题1项，参与国家/江西省重大专项、国家自然科学基金等课题10余项；发表论文50余篇，获授权及申请发明专利5项。
二、研究兴趣
主要从事硅衬底氮化镓基半导体材料生长与器件制备的研究及产业化工作。现就职于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，研究方向：半导体发光器件制造与机理研究。
三、联系方式：
地 址： 南昌市高新区艾溪湖北路679号南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
邮 编: 330096
E-mail: zhengchangda@ncu.edu.cn.
四、近年来承担的课题与获奖情况
1、国家重点研发计划课题，CMOS 电路上高密度Micro-LED 全彩集成技术，主持，2023年01月 — 2025年12月，400万，在研。
2、国家自然科学基金，《高光效InGaN绿光MicroLED的外延结构设计与生长优化研究》，62164008，主持，2022.01—2025.12，35万，在研。
3、江西省重大研发专项课题，衬底高光效长波长发光材料与芯片制造技术研究及产业化，主持，500万，2018.01—2022.12，结题。
4、2022年度江西省自然科学特等奖，V形PN结半导体发光器件，排名第7.
5、2020年度江西省科学技术进步一等奖，硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用，排名第6。
五、代表性论文与专利
[1] Quan-Jiang Lv, Yi-Hong Zhang, Chang-Da Zheng*. Analysis of stress-induced inhomogeneous electroluminescence in GaN-based green LEDs grown on mesh-patterned Si (111) substrates with n-type AlGaN layer. Chinese Physics B. 2020. 29(8). 87801
[2] Jiang Xingan, Zheng Changda*, Mo Chunlan, Wang Xiaolan, Zhang Jianli, Quan Zhijue, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Study on the performance of InGaN-based green LED by designing different preparing layers. Optical Materials. 2019. 89. 505-511
[3] Xu Chen, Zheng Changda*, Wu Xiaoming, Pan Shuan, Jiang Xingan, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Effects of V-pits covering layer position on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs. Journal of Semiconductors. 2019. 40(5). 52801
[4] Zhang Yihong, Lv Quanjiang, Zheng Changda*, Gao Jiangdong, Zhang Jianli, Liu Junlin. Recombination pathways and hole leakage behavior in InGaN/GaN multiple quantum wells with V-shaped pits. Superlattices and Microstructures. 2019. 136. 106284
[5] Zheng Changda, Wang Li, Mo Chunlan, Fang Wenqing et al., Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting Diode on Silicon Substrate. The Scientific World Journal, 2013, 2013: 4.
[6] Zheng Chang-da, Wang Li, Mo Chun-lan, Fang Wen-qing, Pu Yong, Xiong Chuan-bing, Jiang Feng-yi. Efficiency improvement of vertical structure GaN blue LEDs on Si(111) substrate by surface roughening. JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. 2007. 142. 127-130
[7]郑畅达; 张建立; 高江东; 王小兰; 王旋; 李丹; 江风益，一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，CN113192820B，已授权，发明专利。
