一、个人简介
郑畅达，博士，南昌大学物理与材料学院、南昌实验室研究员，硕士研究生导师，入选江西省赣鄱俊才高层次高技能领军人才培养计划。主要从事硅衬底氮化镓基半导体发光器件制备和产业化工作，研究方向：硅衬底InGaN LED照明芯片制造，CMOS电路上InGaN Micro-LED微显示屏的集成。主持国家重点研发计划课题1项、江西省重大研发专项课题1项、国家自然科学基金课题1项，参与国家/江西省重大专项、国家自然科学基金等课题10余项。发表论文50余篇，获授权及申请发明专利10余项。获江西省自然科学特等奖1项，江西省科技进步一等奖1项。
二、研究兴趣
硅衬底InGaN LED照明芯片制造，CMOS电路上InGaN Micro-LED微显示屏集成，Micro-LED微显示屏封装与应用。
三、联系方式：
地 址： 南昌市高新区艾溪湖北路679号
邮 编: 330096
E-mail: zhengchangda@ncu.edu.cn.
四、承担的主要项目与获奖情况
1、2022/11—2025/10，国家重点研发计划课题，CMOS 电路上高密度Micro-LED 全彩集成技术，400万，主持
2、2022/01—2025/12，国家自然科学基金，《高光效InGaN绿光MicroLED的外延结构设计与生长优化研究》，35万，主持
3、2018/01—2022/12，江西省重大研发专项课题，衬底高光效长波长发光材料与芯片制造技术研究及产业化，500万，主持
4、2022年度江西省自然科学特等奖，V形PN结半导体发光器件(7)。
5、2020年度江西省科学技术进步一等奖，硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用（6）。
五、代表性论文与专利
[1] Quan-Jiang Lv, Yi-Hong Zhang, Chang-Da Zheng*. Analysis of stress-induced inhomogeneous electroluminescence in GaN-based green LEDs grown on mesh-patterned Si (111) substrates with n-type AlGaN layer. Chinese Physics B. 2020. 29(8). 87801
[2] Jiang Xingan, Zheng Changda*, Mo Chunlan, Wang Xiaolan, Zhang Jianli, Quan Zhijue, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Study on the performance of InGaN-based green LED by designing different preparing layers. Optical Materials. 2019. 89. 505-511
[3] Xu Chen, Zheng Changda*, Wu Xiaoming, Pan Shuan, Jiang Xingan, Liu Junlin, Jiang Fengyi. Effects of V-pits covering layer position on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs. Journal of Semiconductors. 2019. 40(5). 52801
[4] Zhang Yihong, Lv Quanjiang, Zheng Changda*, Gao Jiangdong, Zhang Jianli, Liu Junlin. Recombination pathways and hole leakage behavior in InGaN/GaN multiple quantum wells with V-shaped pits. Superlattices and Microstructures. 2019. 136. 106284
[5] Zheng Changda, Wang Li, Mo Chunlan, Fang Wenqing et al., Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting Diode on Silicon Substrate. The Scientific World Journal, 2013, 2013: 4.
[6] Zheng Chang-da, Wang Li, Mo Chun-lan, Fang Wen-qing, Pu Yong, Xiong Chuan-bing, Jiang Feng-yi. Efficiency improvement of vertical structure GaN blue LEDs on Si(111) substrate by surface roughening. JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. 2007. 142. 127-130
[7] 一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板，发明专利，授权，ZL202310130572.0，郑畅达;曹雷;王立;吴小明;莫春兰;陈芳;蒋恺;李璠;刘志华
[8] 一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法，发明专利，授权，ZL 2025 1 0000195.8，郑畅达;孙国阳;王立;莫春兰;李璠;吴小明;陈芳;刘志华 胡民伟
[9] 一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法,发明专利，授权，ZL 2021 1 0272273.1，郑畅达;张建立;高江东;王小兰;王旋;李丹;江风益
[10] 氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，发明专利，授权，ZL 2022 1 0047002.0，郑畅达;舒俊;张建立;王小兰;高江东;李丹;杨小霞;潘拴 王立
