高江东，博士，副研究员

个人简介

高江东，1990年出生，工学博士，副研究员，硕士生导师；在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心九大板块之一，“半导体材料生长与器件物理研究”中，从事氮化镓光电子薄膜器件的外延材料生长技术与器件物理研究工作。主要学术成绩与应用贡献：在硅基氮化镓LED领域，阐明了有实用价值的V坑制备技术原理、解析了水平p-n结特性、大幅提高了绿光LED抗静电特性、解决了仿真程序运行耗时长的问题、提出了一套标准化仿真方法。目前，主持国家自然科学基金面上项目1项，以第一发明人获授权发明专利1件，以第一作者或通讯作者身份发表SCI论文共4篇。

主要研究方向

Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备技术、半导体器件物理。

承担科研项目

主持国家自然科学基金面上项目：V形p-n结InGaN半导体黄光LED光效提升的研究，项目批准号62274079，直接经费53万元，执行年限2023年1月至2026年12月（在研）。

获授权发明专利

高江东，张建立，江风益，一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层，ZL202010026871.6，2021年8月3日授权。

张建立，杨小霞，郑畅达，王小兰，高江东，李丹，江风益，一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，ZL202110583269.7，2022年9月9日授权。